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CKW40N120F2H中文资料IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）数据手册CoolSemi规格书
CKW40N120F2H规格书详情
描述 Description
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，简写IGBT）功率器件与VDMOS的差别在于n外延层下面不是n+层而是p+层。导通时在n型漂移去产生电导调制效应，大幅降低导通压降。
CoolSemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截至设计，外延层厚度降低到60um，Vcesat达到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。
技术参数
- 制造商编号
：CKW40N120F2H
- 生产厂家
：CoolSemi
- Ic(A)
：40
- Vcesat(V)@15V Typ
：2
- Vcesat(V)@15V Max
：2.35
- Vgth(V)
：5.5
- Package
：TO-247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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20+ |
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