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CKW40N120F2数据手册CoolSemi中文资料规格书

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厂商型号

CKW40N120F2

功能描述

IGBT

制造商

CoolSemi Cool Semiconductor Co., Limited

中文名称

功成半导体 上海功成半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:04:00

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CKW40N120F2规格书详情

描述 Description

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,简写IGBT)功率器件与VDMOS的差别在于n外延层下面不是n+层而是p+层。导通时在n型漂移去产生电导调制效应,大幅降低导通压降。\r
\r
CoolSemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截至设计,外延层厚度降低到60um,Vcesat达到1.45V,性能媲美Infineon IFX6。

技术参数

  • 制造商编号

    :CKW40N120F2

  • 生产厂家

    :CoolSemi

  • IC(A)

    :40

  • Typ Vcesat(V)@15V

    :1.4

  • Max Vcesat(V)@15V

    :1.8

  • VGE(th) (V)

    :5.7

  • Package

    :TO-247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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