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CJU80SN10

N-Channel MOSFET

JSCJ

长晶科技

技术参数

  • Process:

    SGT

  • ESDYes/No:

    No

  • VDSV:

    100

  • VGSV:

    ±20

  • IDA:

    80

  • VGS(TH)V:

    1.0~2.5

  • RDS(mΩ)@VGS10V Typ:

    6.2

  • RDS(mΩ)@VGS10V Max:

    8.5

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ:

    8.8

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Max:

    10.5

  • Package:

    TO-252-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
25000
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JSCJ
22+
SMD
2500
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TO-252-2L
2500
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2021
TO-252-2L
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更多CJU80SN10供应商 更新时间2026-2-5 14:00:00