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CJU70N06

N-Channel MOSFET

JSCJ

长晶科技

CS70N06

70A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件:1.7475 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

DFP70N06

70A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件:2.48948 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

FQP70N06

70A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件:1.74873 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

技术参数

  • Process:

    Trench

  • ESDYes/No:

    No

  • VDSV:

    60

  • VGSV:

    ±20

  • IDA:

    70

  • VGS(TH)V:

    1.0~2.5

  • RDS(mΩ)@VGS10V Typ:

    9.5

  • RDS(mΩ)@VGS10V Max:

    12

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ:

    11

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Max:

    15

  • Package:

    TO-252-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
25000
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CJ(江苏长电/长晶)
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CJ(江苏长电/长晶)
20+
TO-252-2(DPAK)
2500
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JSCJ
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SMD
2500
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CJ/长晶
2023
TO-252-2L
10000
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更多CJU70N06供应商 更新时间2025-11-11 10:00:00