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CJU68N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
65
VGSV：
±20
IDA：
68
VGS(TH)V：
2.0~4.0
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
8.0
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
10
Package：
TO-252-2L

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更多CJU68N06供应商更新时间2025-11-15 14:01:00

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