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CJU12P06

P-Channel MOSFET

JSCJ

长晶科技

G12P06K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G12P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:686.56 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

MTM12P06

Power Field Effect Transistor

文件:95.67 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MTM12P06

Power Field Effect Transistor

文件:95.67 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

技术参数

  • Process:

    Trench

  • ESDYes/No:

    No

  • VDSV:

    -60

  • VGSV:

    ±20

  • IDA:

    -12

  • VGS(TH)V:

    -1~-3

  • RDS(mΩ)@VGS10V Typ:

    75

  • RDS(mΩ)@VGS10V Max:

    96

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ:

    90

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Max:

    150

  • Package:

    TO-252-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
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更多CJU12P06供应商 更新时间2025-11-9 14:00:00