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CJPF08N60	文件：701.22 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF08N60	文件：1.61225 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
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MCPF08N60	文件：737.82 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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NDP08N60Z	文件：373.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP08N60Z	文件：118.47 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,0.95?	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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