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CJPF04N80	文件：1.83434 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.83434 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJPF04N80	文件：997.46 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：997.46 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF04N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ
EMD04N80CS	文件：195.02 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 800V RDSON (MAX.) 3.0Ω ID 4A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：195.02 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD04N80F	文件：170.99 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：170.99 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Process：
Planar
ESDYes/No：
No
VDSV：
800
VGSV：
±30
IDA：
4
VGS(TH)V：
3~5
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
2100
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
3000
Package：
TO-220F

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