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CJP120SN08

N-Channel MOSFET

JSCJ

长晶科技

技术参数

  • Process:

    SGT

  • ESDYes/No:

    No

  • VDSV:

    80

  • VGSV:

    +20 /-12

  • IDA:

    120

  • VGS(TH)V:

    1.0~2.5

  • RDS(mΩ)@VGS10V Typ:

    3.2

  • RDS(mΩ)@VGS10V Max:

    3.9

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ:

    4.5

  • RDS(mΩ)@VGS4.5V Max:

    6.2

  • Package:

    TO-220-3L-C

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
长晶科技
21+
TO-220-3L-C
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全新原装鄙视假货
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TO-220-3L
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更多CJP120SN08供应商 更新时间2025-11-16 10:01:00