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CJP07N20中文资料长电科技数据手册PDF规格书

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厂商型号

CJP07N20

功能描述

Power Filed Effect Transistor

文件大小

220.32 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

JIANGSU

中文名称

长电科技

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数据手册

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更新时间

2025-10-30 16:21:00

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CJP07N20规格书详情

FEATURES

● Robust High Voltage Termination

● Avalanche Energy Specified

● Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

Discrete Fast Recovery Diode

● Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

● IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

产品属性

  • 型号:

    CJP07N20

  • 功能描述:

    MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长晶科技
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TO-220-3L
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