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CJP04N50M1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Type：
Single-N
Process：
Planar
ESDYes/No：
No
VDSV：
500
VGSV：
±30
IDA：
4
VGS(TH)V：
2~4
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
1200
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
1500
Package：
TO-220-3L

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更多CJP04N50M1供应商更新时间2026-3-26 10:56:00

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