CJD45H11中文资料Surface mount Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
CJD45H11 |
| 参数属性 | CJD45H11 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 8A DPAK |
| 功能描述 | Surface mount Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 11:10:00 |
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CJD45H11规格书详情
简介
CJD45H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的CJD45H11晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：CJD45H11
- 生产厂家
：Central
- Case
：DPAK(TO-252)
- Configuration/ Description
：PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：PNP
- IC MAX
：8A
- PD MAX
：20W
- VCEO MAX
：80V
- hFE MIN
：60
- hFE MAX
：-
- @VCE
：1V
- VCE(SAT) MAX
：1V
- @IC
：8A
- @IB
：400mA
- Cob TYP
：220pF
- Cob MAX
：-
- fT TYP
：50MHz
- fT MIN
：-
- NF MAX
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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