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CJD112中文资料Surface mount Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington数据手册Central规格书

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厂商型号

CJD112

参数属性

CJD112 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

功能描述

Surface mount Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:10:00

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CJD112规格书详情

简介

CJD112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的CJD112晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

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  • 制造商编号

    :CJD112

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :DPAK(TO-252)

  • Configuration/ Description

    :NPN Darlington

  • Polarity

    :NPN

  • IC MAX

    :2A

  • PD MAX

    :20W

  • VCEO MAX

    :100V

  • VCES MAX

    :-

  • hFE MIN

    :1000

  • hFE MAX

    :12000

  • @VCE

    :3V

  • VCE(SAT) MAX

    :2V

  • @IC

    :2A

  • @IB

    :8mA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :100pF

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :25MHz

  • NF MAX

    :-

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