丝印：N5；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features | Vos = 20v | + RDS(ON) =300mQ (typ) @ VGS=25V | + RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS=45V + ESD Protected up to 2KV

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台舟电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS = 20v + RDS(ON) =300mQ (typ) @ VGS= 2.5V/ + RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS= 4.5V/ + ESD Protected up to 2KV.

文件：2.52574 Mbytes 页数：5 Pages

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台舟电子

N-Channel MOSFET

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JIANGSU

长电科技

SOT-563 Plastic-Encapsulate MOSFETS

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ZPSEMIZP Semiconductor

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