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CJ4459A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOS	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJQ4459	文件：1.63444 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：1.63444 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJQ4459	文件：845.54 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：845.54 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJQ4459	文件：1.21107 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.21107 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

Type：
Single-P
Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
-30
VGSV：
±20
IDA：
-5
VGS(TH)V：
-1~-2.5
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
37
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
46
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
44
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
57
Package：
SOT-23

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