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CJ2312	文件：1.20552 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET 文件：1.20552 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJ2312	文件：873.34 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：873.34 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2312	文件：1.8831 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.8831 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CJ2312	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Type：
Single-N
Process：
Trench
ESDYes/No：
No
VDSV：
20
VGSV：
±8
IDA：
5
VGS(TH)V：
0.45~1
RDS(mΩ)@VGS4.5V Typ：
18
RDS(mΩ)@VGS4.5V Max：
31.8
Package：
SOT-23

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