12kHz中频振荡器
如图所示的12khz中频振荡器由12khz石英振荡器、输出电平调整、电平提升电路以及告警电路所组成。它采用新颖单管调谐变量器反馈式振荡电路,在反馈回路中,串接了12khz石英晶体谐振器,从而使振荡频率取决于l2khz石英晶体谐振器的性能。在提高振荡器可靠性及输出幅度稳定, 如图所示的12khz中频振荡器由12khz石英振荡器、输出电平调整、电平提升
如图所示的12khz中频振荡器由12khz石英振荡器、输出电平调整、电平提升电路以及告警电路所组成。它采用新颖单管调谐变量器反馈式振荡电路,在反馈回路中,串接了12khz石英晶体谐振器,从而使振荡频率取决于l2khz石英晶体谐振器的性能。在提高振荡器可靠性及输出幅度稳定, 如图所示的12khz中频振荡器由12khz石英振荡器、输出电平调整、电平提升
如图所示电路由l2khz中频振荡器,告警电路组成。它采用变量器反馈式振荡电路,其振荡频率主要由石英晶体决定。cl、c2可以作微调频率。振荡管采用复合管以提高输入阻抗,幅度的稳定由vdl、vd2双向稳压得到。技术指标:(1)标称频率:12khz、频差不超过±1hz;(2, 如图所示电路由l2khz中频振荡器,告警电路组成。它采用变量器反馈式振荡电路
如图所示的12khz信号发生器由晶体振荡器和告警电路两部分组成。振荡器输出幅度稳定,变化, 如图所示的12khz信号发生器由晶体振荡器和告警电路两部分组成。振荡器输出幅度稳定,变化
本电路sjt为1024khz温补型晶体振荡器。电路原理如图所示。电路由于其输出信号电平低,故后续三极管vtl作缓冲放大。vtl的基极偏置电阻r2、负载电阻r3、射极电阻r4为负反馈电阻,用以稳定vtl的直流工作点。稳压二极管vdl、vd2,电容cl组成稳压、滤波电路,用, 本电路sjt为1024khz温补型晶体振荡器。电路原理如图所示。电路由于其输
利用稳压管的齐纳击穿特性,可以得到频率达数百兆赫的高频信号,其电路如图所示。从输出端v01取出的信号是单一频率信号,可以用来调准调谐回路中的谐振频率。从输出v02取出的信号是广谱高频信号,可以进行超外差式收音机中输入谐振电路和本振调谐电路之间的统调。发生器的频率范围, 利用稳压管的齐纳击穿特性,可以得到频率达数百兆赫的高频信号,其电路如图所
如图所示的高频振荡器,可作为高频信专发生器,选择不同的电容值能够在56~484khz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高,输出阻抗低等特点。元器件选择:三极管vtl、vt2:3dg6d,65≤β《115,vt3、vt4:3dgl308、60≤β≤, 如图所示的高频振荡器,可作为高频信专发生器,选择不同的电容值能够在56~48
如图为70mhz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管vtl、晶体sjt及电容cl、c5等元件组成。元器件选择:电容cl为20p,c2为100p,c3、c7为820p,c4为56p,c5、c8为47p,c6为47μf/50v。电感ll为22μh(色码电感),l2为, 如图为70mhz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管vtl、晶体sj
如图所示为hcmos集成电路组成的48mhz晶体振荡器。晶体的基波频率为l6mhz,但振荡器强制工作于三次谐波。谐波振荡器的关键是抑制晶体的基频,图中的并联谐振电路在晶体的基频下谐振,它和晶体sjt串联后,对基频的阻抗最高,能有效的抑制基频振荡,保证三次谐波容易起振。, 如图所示为hcmos集成电路组成的48mhz晶体振荡器。晶体的基波频率为l6
如图所示为300khz信号发生器。它由vt1、t1、vd4及相关元件组成压控振荡器。压控振荡器采用lc集电极调谐式,vtl为振荡管,由变容二极管vd4、电容c3~c6和变量器t1的1~3绕组的电感组成调谐回路,变容二极管vd4反偏工作,来自控制电压加于负端,以改变其, 如图所示为300khz信号发生器。它由vt1、t1、vd4及相关元件组成
如图所示为56~512khz高频振荡器电路。它由高频振荡器、告警电路所组成。1.技术指标:(1)频率范围:56~512khz;(2)输出电平:+5.5±ldb;(3)频率准确度:不超过±20hz;(4)告警信号:当停振时,告警灯亮,并发出告警声。(5)工作温度:0~+4, 如图所示为56~512khz高频振荡器电路。它由高频振荡器、告警电路所组成。
如图所示为1khz正弦波振荡电路。该电路是在双t电路基础上应用普通的741运算放大器产生1000hz正弦波输出。调节100kω电位器使电路起振,而电路的振荡频率由r1和r2确定,且一般情况下,这两个电阻都相等,其振荡频率与阻值成反比。通常电阻的阻值选择在4.7~18ω之, 如图所示为1khz正弦波振荡电路。该电路是在双t电路基础上应用普通的741运
如图所示为一阶有源相移振荡电路。该电路中,a1和a2组成一阶有源移相器,并与a3构成环路。a3为反相比例放大器,起主放大作用,其增益调节为-l,相移为π。d1、d2为稳压管2dw7c,起稳幅作用。根据振荡所需满足的条件,一阶有源移相器的传输系数|β|=1,总相移为π时电, 如图所示为一阶有源相移振荡电路。该电路中,a1和a2组成一阶有源移相器,并与
如图所示为频率可调、幅度不变的正弦波振荡电路。该电路由两级移相电路和一级分线性反相放大器串接而成。移相电路采用集成运算放大器a1、a2和rc的组合。由于反相器a3的相移是180o,所以,两级移相电路也应移相180o,以保证电路振荡所要求的总相移360o的条件。二极管d1, 如图所示为频率可调、幅度不变的正弦波振荡电路。该电路由两级移相电路和一级分线
如图所示为宽频带正弦波压控振荡电路。该电路振荡频率由积分电阻r和电容c决定,用外加电压vc控制电阻r而构成压控振荡器。电路中的可变电阻采用光耦合器pc1和pc2,整流电路采用平均值检波方式。电路的实际工作频率在几十赫兹以上。此外,控制电压vc相对于电路振荡频率的特性取决, 如图所示为宽频带正弦波压控振荡电路。该电路振荡频率由积分电阻r和电容c决定,
如图所示为压控正弦波振荡电路。该电路由mc1046b构成。当控制输入电压为0~5v时,输出可获得频率为0~20khz的正弦信号。频率范围由电阻r1和电容c决定,改变电阻和电容可改变振荡频率。若在12脚外接电阻r2,可移动振荡频率范围。如果选择r2=2r1,则振荡频率变为, 如图所示为压控正弦波振荡电路。该电路由mc1046b构成。当控制输入电压为0
如图所示为反相器构成的正弦波发生电路。该电路可获得几兆赫以上高稳定性的正弦波。图中a1和晶振组成振荡电路,a1的输出再经缓冲器a2后输出正弦波信号。电路中,a1为线性放大器,整个电路工作于放大状态。由于采用的晶振特性不同.电路输出频率和电压有所不同,而r2可用来进行波形, 如图所示为反相器构成的正弦波发生电路。该电路可获得几兆赫以上高稳定性的正弦波
如图所示为稳定的正弦波振荡电路。为了得到稳定的振荡,要求回路增益为1。如果增益太大,则波形出现失真;如果增益过小,则又会出现停振。本电路采用两个二极管来稳定振荡。当输出电压太低时,二极管截止,负反馈被切断,回路增益提高,输出电压提高。当输出达到一定数值时,二极管导通,回, 如图所示为稳定的正弦波振荡电路。为了得到稳定的振荡,要求回路增益为1。如果增
如图所示为输出稳定的双t正弦波振荡电路。该电路是采用自动增益控制放大器lm170来稳定其振幅的。采用这种方法能保证波形不失真。即使双t回路和放大器增益发生变化,也能保证输出幅度恒定。采用图示元件值可补偿40db的变化。100k电位器是用来改变自动增益控制的阈值电平,从而, 如图所示为输出稳定的双t正弦波振荡电路。该电路是采用自动增益控制放大器lm1
如图所示为rc正弦波振荡电路。电路元件值按下式选择:来源:university , 如图所示为rc正弦波振荡电路。电路元件值按下式选择:来源:un
如图所示为简单的正弦波发生电路。该电路可以产生失真度小的正弦波,其振荡频率为:。根据本图所给数据,振荡频率大约为25hz。改变电感l和电容c的数值可使振荡频率从15hz变到100khz,总的谐波失真可以低于0.5%,而上限频率受到运算放大器的限制。电位器r1可调节加至串, 如图所示为简单的正弦波发生电路。该电路可以产生失真度小的正弦波,其振荡频率为
单结晶体管经常用于锯齿波发生器和脉冲发生器中,但用它也可以构成简单的正弦波产生电路。作为分立元件的振荡电路,它使用的元器件可谓最少。电路如图所示。与普通单结管驰张振荡电路相比,此电路在第二基极上增加了一个lc调谐电路,调谐电路依赖单结管电流脉冲的激励而产生正弦振荡。调节, 单结晶体管经常用于锯齿波发生器和脉冲发生器中,但用它也可以构成简单的正弦波产
很多rc振荡器,在移相单元用的是超前电路,使用了电压反馈放大器,电压反馈放大器在较高频率下增益会急剧下降,在未达到设计频率时常常会停振,这是电压反馈放大器相位特性差的原因所在。用含有四个电流反馈放大器的高频集成电路ha5025制作rc振荡器能产生四个正交正弦波,如图所, 很多rc振荡器,在移相单元用的是超前电路,使用了电压反馈放大器,电压反馈放