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CHT2312GP	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	Chenmko 力勤	Chenmko
CHT2312PT	文件：284.61 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：284.61 Kbytes 页数：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
CJ2312	文件：873.34 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：873.34 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2312	文件：1.20552 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel 20-V(D-S) MOSFET 文件：1.20552 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

技术参数

Gate to Source VoltageVGSS(V)：
±8
Drain CurrentID(A)：
4.5
Static Drain to Source On ResistanceRDS(ON)(Ω)：
0.033
@VGS(V)：
4.5
Maximum Gate Threshold VoltageVGS(th)(V)：
1
Zero Gate Voltage Drain CurrentIDSS(uA)：
1
@ VDS(V)：
20
Package：
SC-59

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更多CHT2312GP供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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