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CHM65A3PAPT	文件：486.95 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 25 Volts CURRENT 38 Ampere FEATURE * Small package. (TO-252A) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * High power and current handing capability. APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. 文件：486.95 Kbytes 页数：3 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO
CHM65A3PAPT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	Chenmko 力勤	Chenmko
FGA65A3H	文件：394.66 Kbytes Page：12 Pages	VCE = 650 V, IC = 15 A Trench Field Stop IGBT 文件：394.66 Kbytes 页数：12 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
FGF65A3H	文件：768.65 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：768.65 Kbytes 页数：15 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
FGF65A3H	文件：768.65 Kbytes Page：15 Pages	Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode 文件：768.65 Kbytes 页数：15 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN

更多CHM65A3PAPT供应商更新时间2026-1-20 16:17:00