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CHM2307GP	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	Chenmko 力勤	Chenmko
NTE2307	文件：20.03 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Gain Power Amp Features: • High Voltage • High DC Current Gain • High Collector Power Dissipation Capability 文件：20.03 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
RF2307	文件：59.54 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Product Description The RF2307 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica 文件：59.54 Kbytes 页数：4 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF2307PCBA	文件：59.54 Kbytes Page：4 Pages	GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Product Description The RF2307 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50Ω gain block. Applications include IF and RF amplifica 文件：59.54 Kbytes 页数：4 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

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更多CHM2307GP供应商更新时间2026-4-13 14:14:00