12V High Performance Gate Driver

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IRF

具有可变栅极驱动的 12V 高效 MOSFET 驱动器

\n优势:\n• 高边和低边 MSFET 均采用同步降压配置\n• 用于驱动 6nF 服务器级 FET 的大驱动器\n• 低边驱动器——4 A 拉电流/  6 A 灌电流\n• 高边驱动器——3 A 拉电流/  4 A 灌电流\n• 转换时间和传播延迟小于 20 纳秒\n• 高边和低边驱动器的独立可变栅极电压(4.5V 至 13.2V)\n• 提升效率\n• 兼容 CHiL 控制器 VGD 功能\n• 集成自举二极管\n• 外部元件数量减少\n• 可实现 200kHz 到 1Mhz 以上的高开关频率\n• 可配置 PWM 工作模式\n• CHiL 主动三电平(ATL), 在 30 纳秒内禁用两;

Infineon

英飞凌

驱动配置：半桥 负载类型：MOSFET 电源电压：10.8V~13.2V 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：3A

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Infineon

英飞凌

PDF上传者：深圳市亚泰盈科电子有限公司

丝印：8510；Package：DFN-103x3；12V High Performance Gate Driver

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IRF

Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

Infineon

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