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CHA7012-99F	文件：397.22 Kbytes Page：10 Pages	X-band HBT High Power Amplifier 文件：397.22 Kbytes 页数：10 Pages	UMS	UMS
CHA7012-99F00	文件：397.22 Kbytes Page：10 Pages	X-band HBT High Power Amplifier 文件：397.22 Kbytes 页数：10 Pages	UMS	UMS
CHA7012-99F	文件：300 bytes Page：1 Pages	X-band HBT High Power Amplifier \n The CHA7012-99F chip is a monolithic two-stage GaAs high power amplifier designed for X band applications.\n This device is manufactured using a GaInP HBT process, including, via holes through the substrate and air bridge. A nitride layer protects the transistors and the passive components	UMS	UMS
CHBD1004SGP	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	CHENMKO 力勤上传：深圳市旺财半导体有限公司	CHENMKO
CHE1270-QAG	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	UMS 上传：深圳市力拓辉电子有限公司	UMS

技术参数

RF Bandwidth (GHz) min-max：
9.2 - 10.4
Sat. Output Power (dBm)：
39.5
PAE (%)：
38 @ 3dB comp
Case：
Die

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