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CHA2069-99F	文件：261.24 Kbytes Page：8 Pages	18-31GHz Low Noise Amplifier 文件：261.24 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS
CHA2069-99F/00	文件：167 Kbytes Page：8 Pages	18-31GHz Low Noise Amplifier Description The circuit is a three-stage self biased wide band monolithic low noise amplifier. The circuit is manufactured with a standard HEMT process : 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography. Main Features • Broad band performance 文件：167 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS
CHA2069-99FSLASH00	文件：167 Kbytes Page：8 Pages	18-31GHz Low Noise Amplifier Description The circuit is a three-stage self biased wide band monolithic low noise amplifier. The circuit is manufactured with a standard HEMT process : 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography. Main Features • Broad band performance 文件：167 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS
CHA2069-99F_15	文件：261.24 Kbytes Page：8 Pages	18-31GHz Low Noise Amplifier 文件：261.24 Kbytes 页数：8 Pages	UMS	UMS
CHA2069-99F	文件：300 bytes Page：1 Pages	18-31GHz Low Noise Amplifier The CHA2069-99F is a three-stage self biased wide band monolithic Low Noise Amplifier.\n\nThe circuit is manufactured with a standard pHEMT process: 0.25µm gate length, via holes through the substrate, air bridges and electron beam gate lithography.\n\nIt is supplied in chip form.\n\n \n	UMS	UMS

技术参数

RF Bandwidth (GHz) min-max：
16 - 31
Noise Figure (dB)：
2.5
Gain (dB)：
22
Case：
Die

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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兆亿微波(北京)科技有限公司	CHA2069-99F	UMS			300		询价
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更多CHA2069-99F供应商更新时间2026-3-17 14:30:00

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