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HCS374D	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374D/SAMPLE	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HCS374DMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS374DMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374DSLASHSAMPLE	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS374HMSR	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS374HMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS374HMSR	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374K	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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