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MBR2535CT	文件：512.69 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR2535CT	文件：218.98 Kbytes Page：2 Pages	25Ampschottkybarrierrectifier20to100volts Features •MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton •Guardringfortransientprotection •Highsurgecapacity •HighCurrentCapability,HighEfficiency •LowPowerLoss	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MBR2535CT	文件：207.04 Kbytes Page：2 Pages	20.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2535CT	文件：125.12 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers TheMBR2535CT/45CTseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTempe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR2535CT	文件：115.68 Kbytes Page：3 Pages	30AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR2535CT	文件：134.82 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR2535CT	文件：484.05 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2535CT	文件：259 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers ReverseVoltage35to60VoltsForwardCurrent25.0Amperes Features ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,higheffi	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MBR2535CT	文件：347.9 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:30A FEATURES Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. Guardringforovervoltageprotection. Highsurgecapacity. Foruseinlowvoltage,highfreq	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR2535CT	文件：575.25 Kbytes Page：3 Pages	25ADualSchottkyRectifiers PRODUCTSUMMARY Voltageratingsavailablefrom35to60Volts FEATURES •PlasticpackageshaveUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metal-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,hi	SSC Silicon Standard Corp.	SSC

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产品属性

产品编号：
CGS2535VX
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
管件
类型：
扇出缓冲器（分配）
电路数：
1
比率 - 输入：
4：16
差分 - 输入：
无/无
输入：
CMOS
输出：
CMOS
电压 - 供电：
3V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-LCC（J 形引线）
供应商器件封装：
28-PLCC（11.51x11.51）
描述：
IC CLK BUFFER 4

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