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CGH55015F2-P2

10 W, C-Band, Unmatched, GaN HEMT

Description Wolfspeed's CGH55015F2/P2 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH55015F2/P2 ideal for C-band pulsed or CW saturated amplifiers. The transistor is a

文件:3.91102 Mbytes 页数:11 Pages

WOLFSPEED

CGH55015F1

15 W, 5500-5800 MHz, GaN HEMT for WiMAX

文件:1.22603 Mbytes 页数:13 Pages

CREE

科锐

CGH55015F2

10 W, C-band, Unmatched, GaN HEMT

文件:1.69498 Mbytes 页数:11 Pages

CREE

科锐

CGH55015F1

Package:440196;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF MOSFET HEMT 28V 440196

WOLFSPEED

CGH55015F2

Package:440166;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166

WOLFSPEED

CGH55015F2-AMP

包装:散装 类别:开发板,套件,编程器 射频评估和开发套件,开发板 描述:CGH55015F2 DEV BOARD WITH HEMT

WOLFSPEED

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CREE/WOLFSPEED
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更多CGH55015F供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00