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CG8586AM

USB 接口集成电路 CCG2

Infineon

英飞凌

EN8586A

General-Purpose Switching Device Applications

文件:481.87 Kbytes 页数:9 Pages

SANYO

三洋

FDD8586

N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 5.5mOHM

文件:424.2 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD8586

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=20V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =5.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:331.14 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

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更多CG8586AM供应商 更新时间2026-3-17 20:02:00