60 W; 8.0 GHz; GaN HEMT Die

The CG2H80060D is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide; including higher breakdown voltage; higher saturated electron drift velocity; and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power densit ·28 V Operation\n·60 W Typical PSAT\n·High Breakdown Voltage\n·High Temperature Operation\n·Up to 8 GHz Operation\n·High Efficiency\n;

MACOM

Package：模具；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：RF DISCRETE

WOLFSPEED

QFP

COPPERGAT

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QFN

CypressCypress Semiconductor

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SOP8

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