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CG2H40120F分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

CG2H40120F
厂商型号

CG2H40120F

参数属性

CG2H40120F 封装/外壳为440223;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

功能描述

120 W, 28 V, RF Power GaN HEMT
120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

封装外壳

440223

文件大小

1.2828 Mbytes

页面数量

11

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
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更新时间

2025-6-22 16:30:00

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CG2H40120F规格书详情

CG2H40120F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的CG2H40120F晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Description

Wolfspeed’s CG2H40120 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron

mobility transistor (HEMT). The CG2H40120, operating from a 28 volt rail,

offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave

applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain and wide bandwidth

capabilities making the CG2H40120 ideal for linear and compressed amplifier

circuits. The transistor is available in a flange and pill package.

Applications

• 2-Way Private Radio

• Broadband Amplifiers

• Test Instrumentation

Features

• Up to 2.5 GHz Operation

• 20 dB Small Signal Gain at 1.0 GHz

• 15 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

• 130 W Typical PSAT

• 70 Efficiency at PSAT

• 28 V Operation

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CG2H40120F

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    2.5GHz

  • 增益:

    20dB

  • 额定电流(安培):

    28A

  • 功率 - 输出:

    130W

  • 封装/外壳:

    440223

  • 供应商器件封装:

    440223

  • 描述:

    120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
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