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CG2H40010F分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

CG2H40010F
厂商型号

CG2H40010F

参数属性

CG2H40010F 封装/外壳为440166;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166

功能描述

10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT

封装外壳

440166

文件大小

2.18476 Mbytes

页面数量

14

生产厂商 Cree, Inc
企业简称

CREE科锐

中文名称

科锐官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 17:00:00

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CG2H40010F规格书详情

Cree’s CG2H40010 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H40010, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making the CG2H40010 ideal for linear and compressed amplifer circuits. The transistor is available in both screw-down, flange and solderdown, pill packages.

FEATURES

• Up to 8 GHz Operation

• 18 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz

• 16 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz

• 17 W typical PSAT

• 70 Effciency at PSAT

• 28 V Operation

APPLICATIONS

• 2-Way Private Radio

• Broadband Amplifers

• Cellular Infrastructure

• Test Instrumentation

• Class A, AB, Linear amplifers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

产品属性

  • 产品编号:

    CG2H40010F

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    GaN

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    8GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 封装/外壳:

    440166

  • 供应商器件封装:

    440166

  • 描述:

    RF MOSFET HEMT 28V 440166

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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