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CEZS05C4

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V, 439A, RDS (ON) = 0.8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free.

文件:1.16428 Mbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZS05C4

N Channel Product

CET

华瑞

ESDA05C4

LOW CAPACITANCE TVS ARRAY

文件:75.51 Kbytes 页数:4 Pages

PROTEC

BCC05C4

Double-Ended Cordsets

BCC M324-M414-3E-304-VX44T2-006 Basic features Approval/Conformity CE cULus WEEE

文件:107.99 Kbytes 页数:2 Pages

Balluff

巴鲁夫

技术参数

  • BVDSS(V):

    40

  • Rds(on)mΩ@10V:

    0.8

  • ID(A):

    439

  • Qg(nC)@10V(typ):

    145

  • RθJC(℃/W):

    0.45

  • Pd(W):

    278

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CF/1GB-U
151
151
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更多CEZS05C4供应商 更新时间2025-10-12 16:20:00