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CEZC09R10AL	文件：878.1 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,40A,RDS(ON)=10.5mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEZC09R10AL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEZC09R10L	文件：895.02 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,42A,RDS(ON)=9.8mW@VGS=10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CF0505XT-1WR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	MORNSUN 最新	MORNSUNGuangzhou Jinshengyang Technology Co., Ltd 金升阳广州金升阳科技有限公司相关企业：瑞航达科技(深圳)有限公司	MORNSUN
CF0505XT-1WR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI HTSSOP16	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市金芯世纪电子有限公司	TI

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