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CEZ6R76

文件：1.19175 Mbytes

Page：6 Pages

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 65V, 49A, RDS (ON) = 8.7mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. Applications Load switch. Synchronous Rectifier. DC DC Conversi

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CET-MOS

华瑞

CEZ6R76

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V)：

    65

  • Rds(on)mΩ@10V：

    8.7

  • ID(A)：

    49

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    22

  • RθJC(℃/W)：

    3

  • Pd(W)：

    42

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市盈慧通电子有限公司
CEZ6R76
CET/華瑞
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CEZC0410SL
CET/華瑞
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P-PAK3X3
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更多CEZ6R76供应商 更新时间2026-3-16 15:19:00

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