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CEZ6R56L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 90A, RDS(ON) = 5.3mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 7.5m W @VGS = 4.5V.

文件:672.6 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ6R56L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    60

  • Rds(on)mΩ@10V:

    5.3

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    7.5

  • ID(A):

    90

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    17

  • RθJC(℃/W):

    1.5

  • Pd(W):

    83

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
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CET/華瑞
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更多CEZ6R56L供应商 更新时间2026-2-2 14:01:00