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CEZ6R36L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 110A, R DS(ON) = 4.0 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 5.5 mW @VGS = 4.5V.

文件:641.35 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ6R36L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    60

  • Rds(on)mΩ@10V:

    4

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    5.5

  • ID(A):

    110

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    23

  • RθJC(℃/W):

    1.6

  • Pd(W):

    78

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET(华瑞)
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PR-PACK(5*6)
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更多CEZ6R36供应商 更新时间2025-12-24 15:01:00