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CEZ6R26LA	文件：1.18113 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 102A, RDS(ON) = 3.2 m W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 4.6 mW @VGS = 4.5V. 文件：1.18113 Mbytes 页数：6 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEZ6R26LA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
60
Rds(on)mΩ@10V：
3.2
Rds(on)mΩ@4.5V：
4.6
ID(A)：
102
Qg(nC)@4.5V(typ)：
29
RθJC(℃/W)：
2.1
Pd(W)：
59.5
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	CEZ6R26LA	NK/南科功率	2025+	DFN5060-8	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	CEZ6R26LA	CET/華瑞	2511	P-PAK5X6	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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上海金庆电子技术有限公司	CEZ6R46	CET	12+	SMD	34		询价

更多CEZ6R26LA供应商更新时间2026-2-4 14:00:00

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