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CEZ3P09

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -53A, RDS(ON) = 9 m W @VGS = -10V. RDS(ON) = 12m W @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:875.3 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ3P09

P Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    -30/

  • Rds(on)mΩ@10V:

    9/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    12/

  • ID(A):

    -53/

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    44/

  • RθJC(℃/W):

    2.5

  • Pd(W):

    50

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    P

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
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国产
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CET/華瑞
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360000
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多CEZ3P09供应商 更新时间2025-10-9 10:51:00