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CEZ09C4

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 40V, 240A, RDS (ON) = 0.9 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS (ON) = 1.7 mW @VGS = 4.5V.

文件:709.66 Kbytes 页数:6 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ09C4

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    40

  • Rds(on)mΩ@10V:

    0.9

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    1.7

  • ID(A):

    240

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    43

  • RθJC(℃/W):

    1.5

  • Pd(W):

    83

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
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NK/南科功率
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DFN5060-8
986966
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CET/華瑞
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PR-PACK5x6
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62000
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CET/華瑞
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PR-PACK(5*6)
120000
只做原装 可免费提供样品
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更多CEZ09C4供应商 更新时间2025-10-12 12:00:00