首页 >CEZ07R12>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

CEZ07R12

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 120V, 90A, RDS (ON) = 7 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:1.06654 Mbytes 页数:6 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ07R12

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    120

  • Rds(on)mΩ@10V:

    7

  • ID(A):

    90

  • Qg(nC)@10V(typ):

    45

  • RθJC(℃/W):

    1.2

  • Pd(W):

    104

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
国产
询价
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
CET/華瑞
23+
PR-PACK5x6
141980
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
TOSHIBA
20
询价
更多CEZ07R12供应商 更新时间2025-12-2 10:01:00