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CEZ07R10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 81A, RDS(ON) = 7.7mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10mW @VGS = 4.5V.

文件:633.11 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ07R10L

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    7.7

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    10

  • ID(A):

    81

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    23

  • RθJC(℃/W):

    1.5

  • Pd(W):

    100

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET(华瑞)
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更多CEZ07R10L供应商 更新时间2025-10-12 15:01:00