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CEZ03R10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 125A, RDS(ON) = 3.7 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

文件:513.08 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEZ03R10

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    3.7

  • ID(A):

    125

  • Qg(nC)@10V(typ):

    107

  • RθJC(℃/W):

    1.2

  • Pd(W):

    104

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET華瑞/台湾中台科技
24+
DFN5X6
60000
询价
NK/南科功率
2025+
DFN5060-8
986966
国产
询价
CET/華瑞
2511
P-PAK5X6
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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CET華瑞
2023+
DFN5X6
8661
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CEZ
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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CET(华瑞)
2447
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105000
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CET-MOS
10
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CET-MOS
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更多CEZ03R10供应商 更新时间2026-1-30 13:30:00