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CEW80N15

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 80A, RDS(ON) = 19mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-247 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:573.2 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEW80N15

N Channel MOSFET

CET

华瑞

FTK80N15P

150V N-Channel MOSFETs

文件:929.81 Kbytes 页数:5 Pages

FS

HM80N15

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:427.71 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HMS80N15

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:615.75 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • BVDSS(V):

    150

  • Rds(on)mΩ@10V:

    19

  • ID(A):

    80

  • Qg(nC)@10V(typ):

    214

  • RθJC(℃/W):

    0.5

  • Pd(W):

    250

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

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更多CEW80N15供应商 更新时间2025-10-9 14:04:00