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CEU6659

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

FEATURES 60V , 9A , RDS(ON) = 72mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RDS(ON) = 90mW @VGS = 5V. -60V , -6A , RDS(ON) = 125mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 150mW @VGS = 5V. TO-252-4L package. RoHS compliant.

文件:997.28 Kbytes 页数:7 Pages

CET-MOS

华瑞

CEU6659

Dual N & P MOSFET

CET

华瑞

CK6659

SUBMINIATURE GAS-FILLED DIODE

文件:114.51 Kbytes 页数:1 Pages

RAYTHEON

雷神

FP6659

RF AMPLIFIER MODEL

文件:87.88 Kbytes 页数:1 Pages

APITECH

FP6659PM

RF AMPLIFIER MODEL

文件:90.59 Kbytes 页数:1 Pages

APITECH

技术参数

  • BVDSS(V):

    -60/60

  • Rds(on)mΩ@10V:

    125/72

  • Rds(on)mΩ@5V:

    150/90

  • ID(A):

    -6/9

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    10/7

  • RθJC(℃/W):

    12

  • Pd(W):

    10.4

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    NP

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TO-252-4L
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更多CEU6659供应商 更新时间2026-2-3 12:00:00