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CEU16N10L	文件：690 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：690 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEU16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 125mW @VGS = 5V. 文件：491.95 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU16N10L	文件：5.01071 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：5.01071 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEU16N10L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威雅利发展有限公司	CEU16N10L	CET	20+	TO-252	100	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多CEU16N10L供应商更新时间2025-10-13 11:29:00