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CES2336

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 1.8A, RDS(ON) = 250mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 330mΩ @VGS = 4.5V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-23 package.

文件:641.16 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CES2336

N Channel Product

CET

华瑞

GDSSF2336

High Power and current handing capability

文件:279.57 Kbytes 页数:4 Pages

Good-Ark

固锝电子

IRMD2336DJ

3 PHASE GATE DRIVER IC REFERENCE DESIGN KIT

文件:3.76643 Mbytes 页数:27 Pages

IRF

IRS2336

HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC

文件:907.62 Kbytes 页数:47 Pages

IRF

技术参数

  • BVDSS(V):

    60

  • RDS(on)mΩ@10V:

    250.0

  • RDS(on)mΩ@4.5V:

    330.0

  • ID(A):

    1.8

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    2.4

  • PD(W):

    1.3

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
25+
SOT-23
33934
CET/華瑞全新特价CES2336即刻询购立享优惠#长期有货
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CET/華瑞
2019+PB
SOT-23
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原装正品 可含税交易
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NK/南科功率
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SOT-23
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国产南科平替供应大量
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SOT-23
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SOT-23
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SOT-23
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原装正品,支持实单
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更多CES2336供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00