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CES2336	文件：641.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,1.8A,RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=330mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
GDSSF2336	文件：279.57 Kbytes Page：4 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
IRMD2336DJ	文件：3.76643 Mbytes Page：27 Pages	3PHASEGATEDRIVERICREFERENCEDESIGNKIT	IRF International Rectifier	IRF
IRS2336	文件：907.62 Kbytes Page：47 Pages	HIGHVOLTAGE3PHASEGATEDRIVERIC	IRF International Rectifier	IRF
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IRS2336	文件：3.01181 Mbytes Page：49 Pages	HIGHVOLTAGE3PHASEGATEDRIVERIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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