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CEPF634	文件：41.37 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEPF634	文件：731.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEPF634	文件：85.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEPF634	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEPF634_06	文件：85.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEPF634_10	文件：412.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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