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CEP93A3	文件：400.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■30V,150A,RDS(ON)=3.0mW@VGS=10V. RDS(ON)=6.0mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP93A3	文件：1.68067 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEB93A3	文件：400.41 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,150A,RDS(ON)=3.0mW@VGS=10V. RDS(ON)=6.0mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED93A3	文件：416.45 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,125A,RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.0mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU93A3	文件：416.45 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,125A,RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=7.0mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
CEP93A3
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CEP93A3	CET	19+	TO-220	53890		询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEP93A3	CET/华瑞	24+	TO-220	5000	全现原装公司现货	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	CEP93A3	CET/华瑞	19+	TO-220	67774	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CEP93A3	NUVOTON	18+	TO-220	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
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