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CEP50N10	文件：430.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP50N10	文件：642.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
EMB50N10A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10G	文件：183.2 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10S	文件：191.1 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID8A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FLX50N10	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
HM50N10K	文件：629.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LG50N10	文件：947.72 Kbytes Page：5 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
LMAK50N10	文件：1.66821 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MSAEZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
CEP50N10
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP50N10	SR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	2022+	TO-220	24100	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEP50N10	C	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	24+	NA/	27350	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	20+	TO-220	7500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CEP50N10	CET	25+	TO-220	53790	原装正品,假一罚十!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CEP50N10	TI	24+	VQFN76	9480	公司现货库存,支持实单	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CEP50N10	CET/華瑞	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价

更多CEP50N10供应商更新时间2025-7-24 15:50:00

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