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CEP190N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 190A, RDS(ON) = 3.7mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. Applications Battery protection,UPS.

文件:532.8 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEP190N10

N Channel MOSFET

CET

华瑞

RU190N10Q

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:484.13 Kbytes 页数:11 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU190N10R

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:484.13 Kbytes 页数:11 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU190N10S

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:484.13 Kbytes 页数:11 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

技术参数

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    3.7

  • ID(A):

    190

  • Qg(nC)@10V(typ):

    91

  • RθJC(℃/W):

    0.6

  • Pd(W):

    250

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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CEPRI
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更多CEP190N10供应商 更新时间2025-12-9 10:51:00