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CEM6608	文件：647.27 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,4A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM6608	文件：519.51 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,4A,RDS(ON)=76mW@VGS=10V. RDS(ON)=100mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
DTQ6608	文件：513.179 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •100RgandUISTested •DT-TrenchPowerMOSFET APPLICATIONS •NotebookPCCore •VRM/POL	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
IPC-6608	文件：1.38833 Mbytes Page：2 Pages	8/6-SlotDesktop/WallmountChassiswithPS/2andRedundantPowerSupplyOptions	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF6608	文件：178.74 Kbytes Page：8 Pages	lHEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6608	文件：187.04 Kbytes Page：9 Pages	ApplicationSpecificMOSFETs Description TheIRF6608combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
ISL6608	文件：611.92 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriverwithPre-BiasedLoadStartupCapability	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6608	文件：332.37 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriver	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6608	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriverwithPre-BiasedLoadStartupCapability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6608CB	文件：332.37 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedMOSFETDriver	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
CEM6608
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEM6608供应商更新时间2025-5-26 10:02:00

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